2020年11月，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）研究人员首次利用二维材料二硫化钼，开发出一种可将逻辑运算和数据存储两大功能结合到一个架构中的计算机芯片，可降低在存储器和处理器之间传输数据相关的能量损耗，减少计算操作所需的时间，缩小所需空间，向开发出体积更小、功能更强、能量效率更高的新器件迈出了重要的一步，相关研究结果已发表于《自然》期刊上。

浮栅场效应晶体管（FGFETs）是新型芯片的基础元件，其优势在于可长时间保持电荷，通常用于相机、智能手机和计算机的闪存系统。二硫化钼的独特电学性能使其对浮栅场晶体管内储存的电荷特别敏感，因此研究人员利用该材料开发出的电路兼具存储单元和可编程晶体管的功能。通过使用二硫化钼，研究人员即可将众多处理功能整合到单一电路中，并根据需要进行调整。

王立娜 供稿自